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国家知识产权局信息显示，深圳市冠禹半导体有限公司申请一项名为“一种栅极嵌埋式MOSFET器件自动化测试方法及系统”的专利，公开号CN 121049685 A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明涉及MOSFET器件测试技术领域，具体涉及一种栅极嵌埋式MOSFET器件自动化测试方法及系统。本发明对器件进行腐蚀，并在每次腐蚀后，获取器件对应腐蚀面上每个测试点的栅极电压和栅极漏电流，并分析每个腐蚀面对应的栅极材料均匀系数；然后分析不同腐蚀面上测试点的栅极电压的整体幅值的变化，获取层间电压稳定参数；进一步基于不同腐蚀面上不同测试点的栅极漏电流的幅值评估层间隔离稳定参数进而综合获取器件测试结果。本发明通过多次测量器件在不同腐蚀深度下的参数表现和变化，量化评估器件内部的材料均匀性及隔离性能，以提高对栅极嵌埋式MOSFET器件的测试结果准确性。
天眼查资料显示，深圳市冠禹半导体有限公司，成立于2017年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市冠禹半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息19条，专利信息55条，此外企业还拥有行政许可6个。
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